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維普創新易于使用的可編程電(diàn)池管理解決方案,通過采用獨有的設計和封裝技術實現了高度集成和極好的散熱性能。我(wǒ)(wǒ)們集成MOSFET的多元化電(diàn)池管理芯片可支持不同電(diàn)池組類型和1-6節不同電(diàn)池配置,其充電(diàn)電(diàn)流可達5A。

 

  • 出色的散熱性能,同時可實現大(dà)電(diàn)流充電(diàn)
  • 小(xiǎo)尺寸精确的低電(diàn)流解決方案
  • 安全充電(diàn)保護提供(NTC)監控、充電(diàn)&看門狗定時器、欠壓/過壓保護以及溫度調節功能
  • 可編程接口實現配合維普創新的 PD 協議控制芯片,可實現微型-USB、USB-C、USB-A輸出功率及USB功率傳輸解決方案
豐富的拓撲結構

BUCK, BOOST, BUCK-BOOST, Charge PUMP 等涵蓋了全部充電(diàn)拓撲結構

安全可靠

常規 CC,CV 外(wài)加多重保護功能,全面提供了安全可靠的使用體(tǐ)驗

優化運行效率

使用先進暫态控制,穩态控制,待機功耗控制,提高了運行效率,做到了較少耗電(diàn),節省能源

維普創新的電(diàn)池充電(diàn)

維普創新的锂離(lí)子電(diàn)池充電(diàn)管理芯片旨的在于滿足便攜式和電(diàn)池供電(diàn)應用的可靠性和易用性要求。可以被廣泛的使用在各個領域,如消費(fèi)品、家用電(diàn)器、備用電(diàn)池等。

我(wǒ)(wǒ)們的系列化的電(diàn)池管理IC提供高度集成化,和高度的安全設計理念提供了緊湊型設計的方案,可以提供高功率,高功率密度,精簡的元器件 BOM 可以充分(fēn)滿足手持設備、移動互聯網設備(MID)、筆記本電(diàn)腦、電(diàn)動工(gōng)具和許多其他設備的需求。

維普提供的電(diàn)池管理IC 種類

電(diàn)池的充電(diàn)技術非常複雜(zá),在系統設計過程中(zhōng),需要考慮到各種應用的場景。 由于锂離(lí)子電(diàn)池的安全問題作為我(wǒ)(wǒ)們設計 IC 的重中(zhōng)之重,我(wǒ)(wǒ)們設計的電(diàn)池充電(diàn)管理芯片更是考慮的多重的保護,同時提供了多種不同的應用場景。我(wǒ)(wǒ)們根據不同的應用場景,推出了系列的 IC, 并且使用了多種架構完成不同的場景需求。 其中(zhōng)包括,降壓充電(diàn),升降壓充電(diàn),電(diàn)荷泵充電(diàn),電(diàn)池平衡等種類。 在應用中(zhōng)涵蓋了,單電(diàn)池到 6 電(diàn)池充電(diàn)等産品應用場景。

為了實現充電(diàn)系統設計人員(yuán)的快速開(kāi)發,我(wǒ)(wǒ)們還針對場景的解決方案,并且涵蓋了一(yī)系列的電(diàn)腦設計軟件,同時提供了參考設計、支持工(gōng)具和設計文件盡可能使工(gōng)程師的任務變得容易并能快速完成。

在各産品頁面上可查閱适用于特定産品的相關資(zī)源。


Part numberToplogyVin rangeAbs. Vin (max)VoutIoutMosfetTopologyInput ILIMOutput ILIMProgram VoutPFMVout ResolutionADCBatteriesPackage
WP5001Buck2.7V-36V40V2.7-36V10AExternalBuckYesYesI2CYes5mV12Bit1-6SQFN 4*4
WP5101Boost2.7V-37V40V2.7-36V10AExternalBoostYesYesI2CYes5mV12Bit1-7SQFN 4*5
WP5201Buck Boost2.7V-38V40V2.7-36V10AExternalBuckBoostYesYesI2CYes5mV12Bit1-8SQFN 4*6
WP5301Charge Pump2.7V-11V15V2.7-5V8A4*102:1YesYesI2C--12Bit1sCPS 3*3.5